Samsung нарощує виробництво DRAM за нормами 25 нм
Samsung нарощує виробництво DRAM за нормами 25 нм
Компанія Samsung Electronics нарощує виробництво пам'яті DRAM з використанням 25-нанометрового технологічного процесу, прагнучи збільшити перевагу над Micron Technology і SK Hynix. Про це повідомляє джерело, посилаючись на дані галузевих спостерігачів.
Компанія Micron більшість чіпів DRAM випускає з використанням 30-нанометрового техпроцесу.
На фабриці Micron в Хіросімі, що раніше належала Elpida Memory і розрахованої на пластини діаметром 300 мм, освоєно виробництво за нормами 25 нм. Тут випускається пам'ять DRAM для мобільних пристроїв. Micron планує до кінця 2014 року перевести це виробництво і тайванське дочірнє підприємство Inotera Memories на 20-нанометровій технології. Проте за оцінкою спостерігачів, малоймовірно, що Micron повністю перейде на норми 20 нм до кінця року.
Що стосується SK Hynix, плани цієї компанії з освоєння нових технологій зірвав пожежа на фабриці з випуску DRAM в Китаї, що трапився у вересні 2013 року. Основним для SK Hynix при випуску DRAM залишається 29-нанометровий техпроцес.
Як ми вже повідомляли, через пожежу частка SK Hynix на ринку DRAM за квартал впала з 28,5% до 23,8% Samsung нарощує виробництво DRAM за нормами 25 нм Комп`ютерні технології it новини.




Схожі новини: